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技術:解鎖HBM無可比擬的“容量和速度”

本文引用地址:http://p808.cn/article/201911/406579.htm

各大制造商已經紛紛引進了高帶寬 (High Bandwidth Memory, 簡稱HBM),采用硅通孔(Through Silicon Via, 簡稱)技術進行芯片堆疊,以增加吞吐量并克服單一封裝內帶寬(Bandwidth)的限制。在這一趨勢下,SK海力士早在2013年便率先開始了HBM的研發,以嘗試提高容量和數據傳輸速率。SK海力士現已充分發揮了最新的潛能,通過將8個16Gb芯片縱向連接,從而實現了16GB傳輸速率。

日本无码高清视频TSV由一個電路芯片和一個“Interposer”(即位于電路板和芯片之間的功能包)上方的多層DRAM組成。簡單來說,TSV可以比喻成一幢公寓式建筑結構,建筑地基(Interposer)上方是社區活動中心(邏輯芯片),再往上是層層疊加的公寓房間(DRAM)。與傳統方法不同,TSV技術就好比在芯片上鉆孔,然后一個一個地堆疊起來。作為一種封裝技術,它通過這些孔內的導電電極連接芯片,由此數據可以垂直移動,仿佛安裝了一臺數據電梯。與傳統的采用金線鍵合技術生產的芯片相比,這種技術連接更短,因而信號路徑更短,具有更低功耗的高速性能。另外,與傳統方法相比,穿透芯片可以在芯片之間形成更多通道。

從HBM到的進化

相比依賴于有線處理的DRAM封裝技術,HBM在數據處理速度方面顯示出了高度的改良。不同于金線縫合的方式,通過TSV技術,HBM可將超過5,000個孔鉆入相互縱向連接的DRAM芯片中。在這樣一個快速崛起的行業趨勢下,SK海力士于2019年8月開發出了具有超高速性能的。這是目前行業中擁有最高性能的一項技術。與之前的HBM2標準對比,HBM2E將提高50%的數據處理速度。由于這一高度改良,它將成為新一代HBM DRAM產品。

不同于傳統結構采用模塊形式封裝存儲芯片并在系統板上進行連接,HBM芯片與芯片與圖像處理器(Graphics Processing Unit, 簡稱GPU)和邏輯芯片等處理器緊密地相互連接。在這樣一個僅有幾微米單元的距離下,數據可被更快地進行傳輸。這種全新的結構在芯片之間創造了更短的路徑,從而更進一步加快了數據處理速度。

隨著數據不斷增加,對于高性能的需求將在第四次工業革命中持續增長。HBM已經在GPU中被使用。HBM2E或將成為包括新一代GPU、高性能計算機處理、云計算、計算機網絡、以及超級計算機在內等高性能裝置中的一種高端半導體,以滿足這些裝置對于超高速運作這一特性的要求。除此之外,HBM2E也將在一些高科技行業中扮演重要角色,例如機器學習和AI系統等。另外,隨著游戲產業中對圖形應用的日益擴大,HBM技術的采用也相應增加,以此可以處理大屏幕下更多像素的需求。通過更高的計算機處理速度,HBM也為高端游戲提供了更好的穩定性。



關鍵詞: HBM2E 存儲器 TSV
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